我们在上一篇博文中深入阐述了碳化硅衬底芯片的崛起，以及解决其清洗难题的方法。鉴于碳化硅晶圆具有薄且易碎的固有特性，还易出现表面不均匀的现象，因此在加工和处理时需要特别小心，而我们所拥有的广泛设备组合，可确保满足这些需求。

碳化硅 (SiC) 衬底芯片已进入（超）快车道。汽车行业需要SiC芯片，以增加电动汽车(EV)的续航里程并缩短充电时间；电信行业希望将SiC芯片应用于6G；可再生能源行业则希望将其用于更有效地发电和储存。